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http://repositorio.unifesspa.edu.br/handle/123456789/602| Tipo: | Trabalho de Conclusão de Curso |
| Título: | Simulação SPICE de circuitos CMOS |
| Autor(es): | GUEDES, Jairo Gomes |
| Primeiro Orientador: | MARTINS, Tiago Carvalho |
| Data do documento: | 2015 |
| Citação: | GUEDES, Jairo Gomes. Simulação SPICE de circuitos CMOS. 2015. 60 f. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação) - Universidade Federal do Sul e Sudeste do Pará, Campus Universitário de Marabá, Instituto de Ciências Exatas, Faculdade de Física, Curso de Licenciatura Plena em Física, Marabá, 2015. Disponível em:<http://repositorio.unifesspa.edu.br/handle/123456789/602>. Acesso em: |
| Resumo: | Neste trabalho, analisa-se os modelos disponíveis no programa de simulação SPICE (Simulated Program with Integrated Circuits Emphasis) para transistores de tecnologia CMOS (Complementary metal–oxide–semiconductor). Tais dispositivos são os componente prodominantes em circuitos eletrônicos, haja vista a tecnologia CMOS ser a mais utilizada na fabricação de circuitos integrados. Devido a importância desses dispositivos e ao grande número de aplicações, os transistores CMOS são os dispositivos com o maior número de diferentes modelos disponíveis na linguagem SPICE. Alguns desses modelos são analisados e comparados aqui, a saber: modelo MOSFET nível 1, modelo MOSFET nível 2 e modelo MOSFET nível 3. Além disso, são simuladas duas aplicações: um amplificador CMOS e um inversor CMOS. |
| Abstract: | In this work, we analyze models available in the simulation program SPICE ( textit Simulated Program with Integrated Circuits Emphasis) for transistor technology CMOS ( textit Complementary metal-oxide-semiconductor). Such devices are prodominantes component in electronic circuits, due to the CMOS technology is the most widely used in the manufacture of integrated circuits. Because of the importance of these devices and the large number of applications, CMOS transistors are devices with as many different models available in SPICE language. Some of these models are analyzed and compared here, namely: level 1 model MOSFET, MOSFET model level 2 and MOSFET model level 3. Also, are simulated two applications: a CMOS amplifier and a CMOS inverter. |
| URI: | http://repositorio.unifesspa.edu.br/handle/123456789/602 |
| CNPq: | CIÊNCIAS EXATAS E DA TERRA: FÍSICA |
| Palavras-chave: | Eletrônica Semicondutores complementares de óxido metálico SPICE (Linguagem de programação de computador) Circuitos eletrônicos Circuitos integrados Teoria de circuitos |
| Fonte : | 1 CD-ROM |
| Tipo de Acesso: | Acesso Aberto |
| Aparece nas coleções: | FAFIS - Faculdade de Física |
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| Arquivo | Descrição | Tamanho | Formato | |
|---|---|---|---|---|
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